Transistor IGBT

Os IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) são interruptores eletrônicos resistentes, eficientes e relativamente rápidos.

Características:

Circuito snubber (retentor) desnecessário
- Compacto
- Modular
- Substituição simples

Auto-limitador de corrente
- Sem filtro de saída
- Alta confiabilidade
- À prova de curto-circuito

Disparo simples
- Poucos componentes de potência

Os IGBTs reúnem:

As características de comutação dos transistores bipolares de potência

Elevada impedância de entrada dos MOSFET

Transistores Bipolares de Potência (TBP)
- Permitem o controle de elevadas correntes;
- Apresentam baixas perdas no estado de condução;
- Exigem elevadas correntes de base (desvantagem);

Transistores de efeito de campo (MOS) de potência
- Podem controlar potências elevadas;
- Exigem tensão para o disparo (vantagem);
- Baixa velocidade de comutação, devido às capacitâncias de porta (GATE) que aumentam com a intensidade de corrente (largura de canal). (desvantagem);
- Para baixas correntes de condução através do canal, podem operar com elevadas freqüências.

IGBTs
- Facilidade de acionamento e elevada impedância de entrada dos MOSFETs;
- Pequenas perdas de condução dos TBPs;
- Velocidade semelhante às dos TBPs.
- Utilizado para a comutação de carga de alta corrente em regime de alta velocidade.